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聞立時(shí)——固體材料界面研究的物理基礎

日期:2021/11/08
正文字號:

固體材料界面研究的物理基礎

中國科學(xué)技術(shù)經(jīng)典文庫

聞立時(shí) 編著(zhù) (已故資深院士)

科學(xué)出版社

2011年8月出版

定價(jià):?88.00

標準書(shū)號:978-7-03-031897-8

裝幀:精裝

開(kāi)本:B5

字數:285千字

讀者對象:本科以上文化程度

頁(yè)數:225

書(shū)類(lèi):理論專(zhuān)著(zhù)/研究生教育

內容簡(jiǎn)介

本書(shū)系統地闡述了固體材料界面研究的基本概念、界面形成機理及其應用。全書(shū)共九章。第一至四章主要介紹固體材料界面的基本概念,并從界面熱力學(xué)、原子結構和電子狀態(tài)三方面論述固體材料界面的形成機理。第五至九章詳細闡述固體材料界面的吸附和偏析,界面的擴散傳質(zhì)、成核與生長(cháng)等,并介紹了國內外固體材料界面研究的最新進(jìn)展及所取得的成果。
  本書(shū)可供材料、冶金、機械、化工、電子等部門(mén)的科技人員及高等院校有關(guān)專(zhuān)業(yè)師生參考。

目錄

前言

第一章 緒論

§1.1?物理界面

§1.2 TLK模型

§1.3?界面的晶體學(xué)類(lèi)型

§1.4?材料界面

第二章 界面熱力學(xué)

§2.1?界面張力和界面自由能

§2.2?界面應力

§2.3?吉布斯界面熱力學(xué)方法

§2.4?界面曲率

§2.5?多相共存界面

§2.6?界面能的各向異性

第三章 界面結構

§3.1?晶界結構理論的發(fā)展

§3.2?位錯模型

§3.3?晶界能公式

§3.4?位錯模型的推廣

§3.5 CSL模型

§3.6?晶體界面幾何理論的普遍模型..o點(diǎn)陣

§3.7?界面的現代原子結構理論

第四章 界面電子狀態(tài)

§4.1?基本概念

§4.2?表面勢

§4.3?計算方法

§4.4?表面態(tài)

§4.5?界面態(tài)

第五章 吸附和偏析

§5.1?宏觀(guān)唯象理論

§5.2?吸附和偏析的統計理論

§5.3?二維相變

§5.4?吸附的電子態(tài)理論

第六章 界面擴散傳質(zhì)

§6.1?擴散的基本方程和機理

§6.2?表面擴散

§6.3?界面擴散的板片模型

§6.4?界面擴散的測量技術(shù)

§6.5?界面擴散的管道模型

§6.6?晶界遷移

第七章 成核與生長(cháng)

§7.1?勻相成核理論

§7.2?界面成核的熱力學(xué)

§7.3?界面成核的動(dòng)力學(xué)

§7.4?特殊情況的成核動(dòng)力學(xué)

§7.5?薄膜成核與生長(cháng)的原子過(guò)程

§7.6?薄膜的生長(cháng)模式

§7.7?外延生長(cháng)界面

第八章 界面化學(xué)反應

§8.1?表面反應

§8.2?荷能粒子和固體表面的交互作用

§8.3?固態(tài)反應成核

§8.4?界面結合機理和界面層

第九章 材料科學(xué)中的界面問(wèn)題

§9.1?材料界面的類(lèi)型

§9.2?材料的表征

§9.3?超細粉和超微粒子

§9.4?材料制備、儲存和使用過(guò)程的界面研究

§9.5?復合材料界面

§9.6?納米復合材料

參考文獻